日前，三星官方宣布全球首次正式量产基于10nm FinFET工艺制程的芯片。同时三星还表示10nm芯片将会用在一款2017年发布的产品上，如无意外就是传说中的三星Galaxy S8了。
这将使得三星芯片领先于英特尔和台积电，成为行业中首个量产10nm制程工艺芯片的厂商。据悉，三星的10nm FinFET芯片采用了先进的3D晶体管结构及设计，相比于14nm FinFET，其面积效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。
值得一提的是，三星还表示10nm芯片将会用到明年初面世的产品上，虽然没有具体披露更多信息，但即将在明年2月MWC17发布的三星Galaxy S8极有可能会用到这款10nm芯片。
此前有消息报道称，三星成为高通骁龙830处理器的独家代工厂，而该芯片则使用了10nm制程技术，同时在明年推出的GALAXY S系列旗舰至少有50%会使用该款处理器。
